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STB80NF55L-08-1

メーカー: STMicroelectronics
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: STB80NF55L-08-1
説明: MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー STMicroelectronics
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ STripFET™ II
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±16V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
ベース部材番号 STB80N
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
作動温度 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 8mOhm @ 40A, 10V
電力放蕩(マックス) 300W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ I2PAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 55V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 4350pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 80A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 5V, 10V

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