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STD10NM65N

メーカー: STMicroelectronics
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: STD10NM65N
説明: MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー STMicroelectronics
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ MDmesh™ II
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ベース部材番号 STD10
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 480mOhm @ 4.5A, 10V
電力放蕩(マックス) 90W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ DPAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 9A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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