画像は参考までに、仕様書を参照してください

STD1HN60K3

メーカー: STMicroelectronics
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: STD1HN60K3
説明: MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー STMicroelectronics
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ SuperMESH3™
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Discontinued at Digi-Key
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ベース部材番号 STD1HN
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 8Ohm @ 600mA, 10V
電力放蕩(マックス) 27W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ DPAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 1.2A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 67 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

SI4386DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0.47
SIJ186DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
IRF6620TRPBF
Infineon Technologies
$1.27
DMTH43M8LPSQ-13
Diodes Incorporated
$0
IPN95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
$0