STD9HN65M2
メーカー: | STMicroelectronics |
---|---|
対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | STD9HN65M2 |
説明: | MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
---|---|
メーカー | STMicroelectronics |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | MDmesh™ M2 |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Cut Tape (CT) |
vgs max | ±25V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Active |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ベース部材番号 | STD9H |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
作動温度 | 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 820mOhm @ 2.5A, 10V |
電力放蕩(マックス) | 60W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | DPAK |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 10V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 650V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 100V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 5.5A (Tc) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 10V |
在庫が 82 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$1.12 | $1.10 | $1.08 |
最小: 1