STGB30H60DFB
メーカー: | STMicroelectronics |
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対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
データシート: | STGB30H60DFB |
説明: | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | STMicroelectronics |
対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
シリーズ | - |
igbtタイプ | Trench Field Stop |
包装 | Digi-Reel® |
入力タイプ | Standard |
門電荷 | 149nC |
部地位 | Active |
-マックス | 260W |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
実験条件 | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
ベース部材番号 | STGB30 |
スイッチングエネルギー | 383µJ (on), 293µJ (off) |
td (on / off) @ 25°c | 37ns/146ns |
作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
サプライヤー装置パッケージ | D2PAK |
v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
反転回復時間(trr) | 53ns |
現在-コレクター・Ic (Max) | 60A |
現在-コレクターピン(Icm) | 120A |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 600V |
在庫が 842 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1