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STGB30H60DFB

メーカー: STMicroelectronics
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: STGB30H60DFB
説明: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー STMicroelectronics
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
包装 Digi-Reel®
入力タイプ Standard
門電荷 149nC
部地位 Active
-マックス 260W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
実験条件 400V, 30A, 10Ohm, 15V
ベース部材番号 STGB30
スイッチングエネルギー 383µJ (on), 293µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 37ns/146ns
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ D2PAK
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
反転回復時間(trr) 53ns
現在-コレクター・Ic (Max) 60A
現在-コレクターピン(Icm) 120A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

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