STGB4M65DF2
メーカー: | STMicroelectronics |
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対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
データシート: | STGB4M65DF2 |
説明: | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | STMicroelectronics |
対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
シリーズ | M |
igbtタイプ | Trench Field Stop |
包装 | Digi-Reel® |
入力タイプ | Standard |
門電荷 | 15.2nC |
部地位 | Active |
-マックス | 68W |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
実験条件 | 400V, 4A, 47Ohm, 15V |
ベース部材番号 | STGB4 |
スイッチングエネルギー | 40µJ (on), 136µJ (off) |
td (on / off) @ 25°c | 12ns/86ns |
作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
サプライヤー装置パッケージ | D2PAK |
v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
反転回復時間(trr) | 133ns |
現在-コレクター・Ic (Max) | 8A |
現在-コレクターピン(Icm) | 16A |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 650V |
在庫が 79 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1