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STGW10M65DF2

メーカー: STMicroelectronics
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: STGW10M65DF2
説明: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー STMicroelectronics
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ M
igbtタイプ Trench Field Stop
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 28nC
部地位 Active
-マックス 115W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
実験条件 400V, 10A, 22Ohm, 15V
ベース部材番号 STGW10
スイッチングエネルギー 120µJ (on), 270µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 19ns/91ns
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-247
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A
反転回復時間(trr) 96ns
現在-コレクター・Ic (Max) 20A
現在-コレクターピン(Icm) 40A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 650V

在庫が 4 pcs

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