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STGW30M65DF2

メーカー: STMicroelectronics
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: STGW30M65DF2
説明: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー STMicroelectronics
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 80nC
部地位 Active
-マックス 258W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
実験条件 400V, 30A, 10Ohm, 15V
ベース部材番号 STGW30
スイッチングエネルギー 300µJ (on), 960µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 31.6ns/115ns
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-247
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
反転回復時間(trr) 140ns
現在-コレクター・Ic (Max) 60A
現在-コレクターピン(Icm) 120A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 650V

在庫が 195 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.39 $3.32 $3.26
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