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STGWT30V60DF

メーカー: STMicroelectronics
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: STGWT30V60DF
説明: IGBT 600V 60A 258W TO3P-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー STMicroelectronics
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 163nC
部地位 Active
-マックス 258W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-3P-3, SC-65-3
実験条件 400V, 30A, 10Ohm, 15V
ベース部材番号 STGWT30
スイッチングエネルギー 383µJ (on), 233µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 45ns/189ns
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-3P
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 30A
反転回復時間(trr) 53ns
現在-コレクター・Ic (Max) 60A
現在-コレクターピン(Icm) 120A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

在庫が 93 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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