STGWT80H65DFB
メーカー: | STMicroelectronics |
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対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
データシート: | STGWT80H65DFB |
説明: | IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | STMicroelectronics |
対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
シリーズ | - |
igbtタイプ | Trench Field Stop |
包装 | Tube |
入力タイプ | Standard |
門電荷 | 414nC |
部地位 | Active |
-マックス | 469W |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-3P-3, SC-65-3 |
実験条件 | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
ベース部材番号 | STGWT80 |
スイッチングエネルギー | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
td (on / off) @ 25°c | 84ns/280ns |
作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
サプライヤー装置パッケージ | TO-3P |
v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
反転回復時間(trr) | 85ns |
現在-コレクター・Ic (Max) | 120A |
現在-コレクターピン(Icm) | 240A |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 650V |
在庫が 4 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$7.50 | $7.35 | $7.20 |
最小: 1