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STGWT80H65DFB

メーカー: STMicroelectronics
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: STGWT80H65DFB
説明: IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー STMicroelectronics
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 414nC
部地位 Active
-マックス 469W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-3P-3, SC-65-3
実験条件 400V, 80A, 10Ohm, 15V
ベース部材番号 STGWT80
スイッチングエネルギー 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
td (on / off) @ 25°c 84ns/280ns
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-3P
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
反転回復時間(trr) 85ns
現在-コレクター・Ic (Max) 120A
現在-コレクターピン(Icm) 240A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 650V

在庫が 4 pcs

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