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STGYA120M65DF2

メーカー: STMicroelectronics
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: STGYA120M65DF2
説明: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー STMicroelectronics
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ *
igbtタイプ NPT, Trench Field Stop
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 420nC
部地位 Active
-マックス 625W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3 Exposed Pad
実験条件 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
ベース部材番号 STGYA120
スイッチングエネルギー 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
td (on / off) @ 25°c 66ns/185ns
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ MAX247™
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 120A
反転回復時間(trr) 202ns
現在-コレクター・Ic (Max) 160A
現在-コレクターピン(Icm) 360A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 650V

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$11.03 $10.81 $10.59
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