STGYA120M65DF2
メーカー: | STMicroelectronics |
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対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
データシート: | STGYA120M65DF2 |
説明: | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | STMicroelectronics |
対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
シリーズ | * |
igbtタイプ | NPT, Trench Field Stop |
包装 | Tube |
入力タイプ | Standard |
門電荷 | 420nC |
部地位 | Active |
-マックス | 625W |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-247-3 Exposed Pad |
実験条件 | 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V |
ベース部材番号 | STGYA120 |
スイッチングエネルギー | 1.8mJ (on), 4.41mJ (off) |
td (on / off) @ 25°c | 66ns/185ns |
作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
サプライヤー装置パッケージ | MAX247™ |
v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 120A |
反転回復時間(trr) | 202ns |
現在-コレクター・Ic (Max) | 160A |
現在-コレクターピン(Icm) | 360A |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 650V |
在庫が 444 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$11.03 | $10.81 | $10.59 |
最小: 1