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STH180N10F3-6

メーカー: STMicroelectronics
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: STH180N10F3-6
説明: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー STMicroelectronics
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ STripFET™ III
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
ベース部材番号 STH180
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 4.5mOhm @ 60A, 10V
電力放蕩(マックス) 315W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ H2PAK-6
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 114.6nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 6665pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 180A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 214 pcs

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