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STH275N8F7-6AG

メーカー: STMicroelectronics
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: STH275N8F7-6AG
説明: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー STMicroelectronics
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
ベース部材番号 STH275
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 2.1mOhm @ 90A, 10V
電力放蕩(マックス) 315W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ H2PAK-6
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 193nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 80V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 13600pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 180A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 67 pcs

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