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STH315N10F7-6

メーカー:	STMicroelectronics
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	STH315N10F7-6
説明:	MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	STMicroelectronics
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	DeepGATE™, STripFET™ VII
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
ベース部材番号	STH315
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	2.3mOhm @ 60A, 10V
電力放蕩(マックス)	315W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	H2PAK-6
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	12800pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	180A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V