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STH80N10F7-2

メーカー:	STMicroelectronics
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	STH80N10F7-2
説明:	MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	STMicroelectronics
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	DeepGATE™, STripFET™ VII
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ベース部材番号	STH80N
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	9.5mOhm @ 40A, 10V
電力放蕩(マックス)	110W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	H2Pak-2
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	3100pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c	80A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V