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STL18N65M2

メーカー: STMicroelectronics
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: STL18N65M2
説明: MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー STMicroelectronics
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ MDmesh™ M2
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerVDFN
ベース部材番号 STL18
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 365mOhm @ 4A, 10V
電力放蕩(マックス) 57W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PowerFlat™ (5x6) HV
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 21.5nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 764pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c 8A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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