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STP11NM60ND

メーカー: STMicroelectronics
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: STP11NM60ND
説明: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー STMicroelectronics
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ FDmesh™ II
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3
ベース部材番号 STP11N
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 450mOhm @ 5A, 10V
電力放蕩(マックス) 90W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-220AB
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 10A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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