画像は参考までに、仕様書を参照してください

STP11NM80

メーカー:	STMicroelectronics
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	STP11NM80
説明:	MOSFET N-CH 800V 11A TO-220
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	STMicroelectronics
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	MDmesh™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-220-3
ベース部材番号	STP11N
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
作動温度	-65°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	400mOhm @ 5.5A, 10V
電力放蕩(マックス)	150W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-220AB
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	43.6nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	800V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1630pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	11A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V