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STP180N10F3

メーカー:	STMicroelectronics
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	STP180N10F3
説明:	MOSFET N-CH 100V 120A TO220
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	STMicroelectronics
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	STripFET™ III
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-220-3
ベース部材番号	STP180
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	5.1mOhm @ 60A, 10V
電力放蕩(マックス)	315W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-220
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	114.6nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	6665pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	120A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V