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STP190N55LF3

メーカー:	STMicroelectronics
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	STP190N55LF3
説明:	MOSFET N-CH 55V 120A TO-220
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	STMicroelectronics
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	STripFET™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±18V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-220-3
ベース部材番号	STP190
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	3.7mOhm @ 30A, 10V
電力放蕩(マックス)	312W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-220-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	55V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	6200pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	120A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	5V, 10V