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STP25N60M2-EP

メーカー:	STMicroelectronics
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	STP25N60M2-EP
説明:	MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	STMicroelectronics
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	MDmesh™ M2-EP
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±25V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-220-3
ベース部材番号	STP25N
Vgs(th) (Max) @ Id	4.75V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	188mOhm @ 9A, 10V
電力放蕩(マックス)	150W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-220
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1090pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c	18A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V