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STP8N120K5

メーカー:	STMicroelectronics
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	STP8N120K5
説明:	MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	STMicroelectronics
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	MDmesh™ K5
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	-
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-220-3
ベース部材番号	STP8N
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 100µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	2Ohm @ 2.5A, 10V
電力放蕩(マックス)	130W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-220
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	13.7nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	1200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	505pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c	6A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V