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STS3P6F6

メーカー: STMicroelectronics
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: STS3P6F6
説明: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー STMicroelectronics
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ DeepGATE™, STripFET™ VI
fet234タイプ P-Channel
包装 Cut Tape (CT)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ベース部材番号 STS3P
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 160mOhm @ 1.5A, 10V
電力放蕩(マックス) 2.7W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 48V
現在25%で安全連続(id) @°c -
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 2180 pcs

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