画像は参考までに、仕様書を参照してください
STU10N60M2
| メーカー: | STMicroelectronics |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| データシート: | STU10N60M2 |
| 説明: | MOSFET N-CH 600V IPAK |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | MDmesh™ II Plus |
| fet234タイプ | N-Channel |
| 包装 | Tube |
| vgs max | ±25V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| fet特徴 | - |
| 部地位 | Active |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| ベース部材番号 | STU10N |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 600mOhm @ 3A, 10V |
| 電力放蕩(マックス) | 85W (Tc) |
| サプライヤー装置パッケージ | I-PAK |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 13.5nC @ 10V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 600V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 100V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 7.5A (Tc) |
| 駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 10V |
在庫が 83 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.68 | $1.65 | $1.61 |
最小: 1
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