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STV200N55F3

メーカー: STMicroelectronics
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: STV200N55F3
説明: MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー STMicroelectronics
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ STripFET™
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
ベース部材番号 STV200
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 2.5mOhm @ 75A, 10V
電力放蕩(マックス) 300W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 10-PowerSO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 55V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 200A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 1735 pcs

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