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STW56N65M2-4

メーカー:	STMicroelectronics
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	STW56N65M2-4
説明:	MOSFET N-CH 650V I2PAKFP
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	STMicroelectronics
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	MDmesh™ M2
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±25V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-247-4
ベース部材番号	STW56N
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	62mOhm @ 24.5A, 10V
電力放蕩(マックス)	358W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-247-4L
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	93nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	3900pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c	49A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V