画像は参考までに、仕様書を参照してください
ULN2065B
| メーカー: | STMicroelectronics |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| データシート: | ULN2065B |
| 説明: | TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tube |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 1W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm) |
| トランジスタタイプ | 4 NPN Darlington (Quad) |
| ベース部材番号 | ULN206 |
| 作動温度 | -20°C ~ 85°C (TA) |
| 周波数-遷移 | - |
| サプライヤー装置パッケージ | 16-PowerDIP (20x7.10) |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 1.5V @ 2.25mA, 1.5A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 1.75A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | - |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | - |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 80V |
