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TSM089N08LCR RLG

メーカー: Taiwan Semiconductor Corporation
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TSM089N08LCR RLG
説明: MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Taiwan Semiconductor Corporation
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 8.9mOhm @ 12A, 10V
電力放蕩(マックス) 83W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 8-PDFN (5x6)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 80V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 6119pF @ 40V
現在25%で安全連続(id) @°c 67A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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