Image is for reference only , details as Specifications

TSM110NB04CR RLG

メーカー:	Taiwan Semiconductor Corporation
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	TSM110NB04CR RLG
説明:	MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Taiwan Semiconductor Corporation
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	11mOhm @ 12A, 10V
電力放蕩(マックス)	3.1W (Ta), 68W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	8-PDFN (5x6)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	40V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1443pF @ 20V
現在25%で安全連続(id) @°c	12A (Ta), 54A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V