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TSM4NB65CI C0G

メーカー:	Taiwan Semiconductor Corporation
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	TSM4NB65CI C0G
説明:	MOSFET N-CHANNEL 650V 4A ITO220
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Taiwan Semiconductor Corporation
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Not For New Designs
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	3.37Ohm @ 2A, 10V
電力放蕩(マックス)	70W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	ITO-220AB
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	13.46nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	549pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	4A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V