TC58BVG0S3HBAI6
メーカー: | Toshiba Memory America, Inc. |
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対象品目: | Memory |
データシート: | TC58BVG0S3HBAI6 |
説明: | IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Toshiba Memory America, Inc. |
対象品目 | Memory |
シリーズ | Benand™ |
包装 | Tray |
技術 | FLASH - NAND (SLC) |
アクセス時間 | 25ns |
メモリサイズ | 1Gb (128M x 8) |
メモリタイプ | Non-Volatile |
部地位 | Active |
メモリフォーマット | FLASH |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | 67-VFBGA |
メモリ・インターフェース | Parallel |
電圧-供給 | 2.7V ~ 3.6V |
作動温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
サプライヤー装置パッケージ | 67-VFBGA (6.5x8) |
サイクル時間−単語,ページを書く | 25ns |
在庫が 83 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1