Image is for reference only , details as Specifications

TC58BYG0S3HBAI4

メーカー: Toshiba Memory America, Inc.
対象品目: Memory
データシート: TC58BYG0S3HBAI4
説明: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Memory America, Inc.
対象品目 Memory
シリーズ Benand™
技術 FLASH - NAND (SLC)
メモリサイズ 1Gb (128M x 8)
メモリタイプ Non-Volatile
部地位 Active
メモリフォーマット FLASH
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 63-VFBGA
メモリ・インターフェース -
電圧-供給 1.7V ~ 1.95V
作動温度 -40°C ~ 85°C (TA)
サプライヤー装置パッケージ 63-TFBGA (9x11)
サイクル時間−単語,ページを書く 25ns

在庫が 205 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.50 $3.43 $3.36
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

SST26VF064BEUI-104I/MF
Lanka Micro
$3.42
S25FL128SAGNFI010
Cypress Semiconductor Corp
$3.41
TC58NVG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
$3.41
TC58NYG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
$3.41
TC58BYG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
$3.41