TC58BYG0S3HBAI4
メーカー: | Toshiba Memory America, Inc. |
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対象品目: | Memory |
データシート: | TC58BYG0S3HBAI4 |
説明: | 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Toshiba Memory America, Inc. |
対象品目 | Memory |
シリーズ | Benand™ |
技術 | FLASH - NAND (SLC) |
メモリサイズ | 1Gb (128M x 8) |
メモリタイプ | Non-Volatile |
部地位 | Active |
メモリフォーマット | FLASH |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | 63-VFBGA |
メモリ・インターフェース | - |
電圧-供給 | 1.7V ~ 1.95V |
作動温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
サプライヤー装置パッケージ | 63-TFBGA (9x11) |
サイクル時間−単語,ページを書く | 25ns |
在庫が 205 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$3.50 | $3.43 | $3.36 |
最小: 1