画像は参考までに、仕様書を参照してください
TC58BYG2S0HBAI6
| メーカー: | Toshiba Memory America, Inc. |
|---|---|
| 対象品目: | Memory |
| データシート: | TC58BYG2S0HBAI6 |
| 説明: | IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Memory America, Inc. |
| 対象品目 | Memory |
| シリーズ | Benand™ |
| 包装 | Tray |
| 技術 | FLASH - NAND (SLC) |
| アクセス時間 | 25ns |
| メモリサイズ | 4Gb (512M x 8) |
| メモリタイプ | Non-Volatile |
| 部地位 | Active |
| メモリフォーマット | FLASH |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 67-VFBGA |
| メモリ・インターフェース | Parallel |
| 電圧-供給 | 1.7V ~ 1.95V |
| 作動温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| サプライヤー装置パッケージ | 67-VFBGA (6.5x8) |
| サイクル時間−単語,ページを書く | 25ns |
在庫が 2 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $4.58 | $4.49 | $4.40 |
最小: 1
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