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TH58BVG2S3HTAI0

メーカー: Toshiba Memory America, Inc.
対象品目: Memory
データシート: TH58BVG2S3HTAI0
説明: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Memory America, Inc.
対象品目 Memory
シリーズ Benand™
包装 Tray
技術 FLASH - NAND (SLC)
アクセス時間 25ns
メモリサイズ 4Gb (512M x 8)
メモリタイプ Non-Volatile
部地位 Active
メモリフォーマット FLASH
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
メモリ・インターフェース Parallel
電圧-供給 2.7V ~ 3.6V
作動温度 -40°C ~ 85°C (TA)
サプライヤー装置パッケージ 48-TSOP I
サイクル時間−単語,ページを書く 25ns

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