画像は参考までに、仕様書を参照してください
TH58BYG2S3HBAI4
| メーカー: | Toshiba Memory America, Inc. |
|---|---|
| 対象品目: | Memory |
| データシート: | TH58BYG2S3HBAI4 |
| 説明: | 4G SLC NAND BGA 24NM |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Memory America, Inc. |
| 対象品目 | Memory |
| シリーズ | Benand™ |
| 技術 | FLASH - NAND (SLC) |
| メモリサイズ | 4Gb (512M x 8) |
| メモリタイプ | Non-Volatile |
| 部地位 | Active |
| メモリフォーマット | FLASH |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 63-VFBGA |
| メモリ・インターフェース | - |
| 電圧-供給 | - |
| 作動温度 | -40°C ~ 85°C |
| サプライヤー装置パッケージ | 63-TFBGA (9x11) |
| サイクル時間−単語,ページを書く | - |
在庫が 210 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $6.50 | $6.37 | $6.24 |
最小: 1
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