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2SA1013-O,T6MIBF(J

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート:	2SA1013-O,T6MIBF(J
説明:	TRANS PNP 1A 160V TO226-3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ	-
包装	Bulk
部地位	Obsolete
-マックス	900mW
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
トランジスタタイプ	PNP
作動温度	150°C (TJ)
周波数-遷移	50MHz
サプライヤー装置パッケージ	TO-92L
vイス(Max) @ Ib、Ic	1.5V @ 50mA, 500mA
現在-コレクター・Ic (Max)	1A
トラッキング・キュートフ(マックス)	1µA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	60 @ 200mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	160V