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2SA1020-Y,F(J

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: 2SA1020-Y,F(J
説明: TRANS PNP 2A 50V TO226-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Bulk
部地位 Obsolete
-マックス 900mW
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-226-3, TO-92-3 Long Body
トランジスタタイプ PNP
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 100MHz
サプライヤー装置パッケージ TO-92MOD
vイス(Max) @ Ib、Ic 500mV @ 50mA, 1A
現在-コレクター・Ic (Max) 2A
トラッキング・キュートフ(マックス) 1µA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 70 @ 500mA, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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