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2SA1162S-GR,LF(D

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート:	2SA1162S-GR,LF(D
説明:	TRANSISTOR PNP 50V 150MA S-MINI
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ	-
包装	Tape & Reel (TR)
部地位	Obsolete
-マックス	150mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ	PNP
作動温度	125°C (TJ)
周波数-遷移	80MHz
サプライヤー装置パッケージ	S-Mini
vイス(Max) @ Ib、Ic	300mV @ 10mA, 100mA
現在-コレクター・Ic (Max)	150mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	70 @ 2mA, 6V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V