画像は参考までに、仕様書を参照してください

2SA1312GRTE85LF

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: 2SA1312GRTE85LF
説明: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Discontinued at Digi-Key
-マックス 150mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ PNP
作動温度 125°C (TJ)
周波数-遷移 100MHz
サプライヤー装置パッケージ S-Mini
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 1mA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 200 @ 2mA, 6V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 120V

在庫が 88 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

KSD471AYTA
ON Semiconductor
$0
NSVBC847BTT1G
ON Semiconductor
$0.06
MMST4124T146
ROHM Semiconductor
$0.06
NSVMMBT2907AM3T5G
ON Semiconductor
$0.06
MMST4126-7-F
Diodes Incorporated
$0.06