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2SA1587-GR,LF

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート:	2SA1587-GR,LF
説明:	TRANS PNP 120V 0.1A USM
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ	-
包装	Cut Tape (CT)
部地位	Active
-マックス	100mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SC-70, SOT-323
トランジスタタイプ	PNP
作動温度	125°C (TJ)
周波数-遷移	100MHz
サプライヤー装置パッケージ	USM
vイス(Max) @ Ib、Ic	300mV @ 1mA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max)	100mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	200 @ 2mA, 6V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	120V