2SA1680(T6DNSO,F,M
メーカー: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
データシート: | 2SA1680(T6DNSO,F,M |
説明: | TRANS PNP 2A 50V TO226-3 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
シリーズ | - |
包装 | Bulk |
部地位 | Obsolete |
-マックス | 900mW |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
トランジスタタイプ | PNP |
作動温度 | 150°C (TJ) |
周波数-遷移 | 100MHz |
サプライヤー装置パッケージ | TO-92MOD |
vイス(Max) @ Ib、Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
現在-コレクター・Ic (Max) | 2A |
トラッキング・キュートフ(マックス) | 1µA (ICBO) |
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 120 @ 100mA, 2V |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 50V |
在庫が 95 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1