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2SA1955FVBTPL3Z

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: 2SA1955FVBTPL3Z
説明: TRANS PNP 12V 0.4A VESM
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Obsolete
-マックス 100mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-723
トランジスタタイプ PNP
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 130MHz
サプライヤー装置パッケージ VESM
vイス(Max) @ Ib、Ic 250mV @ 10mA, 200mA
現在-コレクター・Ic (Max) 400mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 300 @ 10mA, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 12V

在庫が 10815 pcs

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