Image is for reference only , details as Specifications
2SA965-O,F(J
| メーカー: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | 2SA965-O,F(J |
| 説明: | TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Bulk |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 900mW |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| トランジスタタイプ | PNP |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 120MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | LSTM |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 800mA |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 100nA (ICBO) |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 80 @ 100mA, 5V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 120V |
在庫が 85 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
要求引用
下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します
Bargain Finds