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2SB1457(T6DW,F,M)
| メーカー: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | 2SB1457(T6DW,F,M) |
| 説明: | TRANS PNP 2A 100V TO226-3 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Bulk |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 900mW |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| トランジスタタイプ | PNP |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 50MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-92MOD |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 2A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 10µA (ICBO) |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 2000 @ 1A, 2V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 100V |
在庫が 81 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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