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2SC2229-O(MIT1F,M)

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: 2SC2229-O(MIT1F,M)
説明: TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Bulk
部地位 Obsolete
-マックス 800mW
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-226-3, TO-92-3 Long Body
トランジスタタイプ NPN
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 120MHz
サプライヤー装置パッケージ TO-92MOD
vイス(Max) @ Ib、Ic 500mV @ 1mA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 50mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 70 @ 10mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 150V

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