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2SC2235-O(T6ASN,FM

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: 2SC2235-O(T6ASN,FM
説明: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Bulk
部地位 Obsolete
-マックス 900mW
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-226-3, TO-92-3 Long Body
トランジスタタイプ NPN
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 120MHz
サプライヤー装置パッケージ TO-92MOD
vイス(Max) @ Ib、Ic 1V @ 50mA, 500mA
現在-コレクター・Ic (Max) 800mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 80 @ 100mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 120V

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