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2SD1221-Y(Q)

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート:	2SD1221-Y(Q)
説明:	TRANS NPN 60V 3A PW MOLD
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ	-
包装	Bulk
部地位	Obsolete
-マックス	1W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
トランジスタタイプ	NPN
作動温度	150°C (TJ)
周波数-遷移	3MHz
サプライヤー装置パッケージ	PW-MOLD
vイス(Max) @ Ib、Ic	1V @ 300mA, 3A
現在-コレクター・Ic (Max)	3A
トラッキング・キュートフ(マックス)	100µA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	100 @ 500mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	60V