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2SD2206,T6F(J

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート:	2SD2206,T6F(J
説明:	TRANS NPN 2A 100V TO226-3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ	-
包装	Bulk
部地位	Obsolete
-マックス	900mW
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
トランジスタタイプ	NPN
作動温度	150°C (TJ)
周波数-遷移	100MHz
サプライヤー装置パッケージ	TO-92MOD
vイス(Max) @ Ib、Ic	1.5V @ 1mA, 1A
現在-コレクター・Ic (Max)	2A
トラッキング・キュートフ(マックス)	10µA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	2000 @ 1A, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	100V