2SK3906(Q)
メーカー: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | 2SK3906(Q) |
説明: | MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | - |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Bulk |
vgs max | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Obsolete |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-3P-3, SC-65-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
作動温度 | 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 330mOhm @ 10A, 10V |
電力放蕩(マックス) | 150W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | TO-3P(N) |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 600V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 4250pF @ 25V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 20A (Ta) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 10V |
在庫が 66 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1