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4N35(SHORT,F)

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
データシート:	4N35(SHORT,F)
説明:	OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
シリーズ	-
包装	Tube
入力タイプ	DC
出力種別	Transistor with Base
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	6-DIP (0.300", 7.62mm)
ベース部材番号	4N35
チャネル数	1
電圧-孤立	2500Vrms
vce\|UNK\|UNK\|UNK飽和max	300mV
作動温度	-55°C ~ 100°C
流行の季節(Typ)	-
電圧-出力(最大)	30V
サプライヤー装置パッケージ	6-DIP
电流-アウトプット/チャネル	100mA
現在の移籍比率(Max−1)	-
現在の移籍率(Min)	40% @ 10mA
電圧-順方向(Vf) (Typ)	1.15V
消灯時間(Typ)	3µs, 3µs
现在- DCフォワード(If)(マックス)	60mA